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          新聞中心

          中車時代電氣碳化硅器件項目通過科技成果鑒定

          發布時間:2018-01-03 來源: 瀏覽次數:1570 視力保護色:
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             本次鑒定會由中國電子學會組織,西安電子科技大學的郝躍院士擔任鑒定會主任,中國IGBT技術創新與產業聯盟、中電集團五十五所、電子科技大學、北京大學、全球能源互聯網研究院、中科院電工所和中科院物理所等各單位專家擔任鑒定會委員。鑒定委員會認真聽取了項目完成單位關于該成果的研制報告、技術報告、用戶使用報告及經濟效益和社會效益分析報告,審閱了查新報告、測試報告和資料審查報告等相關技術資料。

            “高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產品研制與應用驗證”項目實現了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A 五個代表品種和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A 和1700V/5A 三個代表品種,部分產品已應用于光伏逆變、軌道交通、電動汽車等領域。

            經質詢和討論,鑒定委員會認為該項目在高功率SiC器件結構設計、關鍵制造工藝和界面態控制等技術取得突破,器件性能達到國內領先、國際先進水平,成果已經在地鐵車輛牽引系統運行6000公里,光伏電場掛機發電19.5MWh,混合動力城市客車運行9469公里,具有良好的社會和經濟效益。鑒定委員會一致同意該項目成果通過科技成果鑒定。

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